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品牌元件·達孚制造
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一、瓷介電容器
瓷介電容器又稱陶瓷電容器，它以陶瓷為介質，涂敷金屬薄膜（一般為銀）經高溫燒結而形成電極，再在電極上焊上引出線，外表涂以保護磁漆，或用環氧樹脂及酚醛樹脂包封，即成為瓷介電容器。
穿心式或支柱式結構瓷介電容器，它的一個電極就是安裝螺絲。引線電感極小，頻率特性好，介電損耗小，有溫度補償作用不能做成大的容量，受振動會引起容量變化特別適于高頻旁路。
1、高頻瓷介電容（CC）
電容量：1～6800p
額定電壓：63～500V
主要特點：高頻損耗小，穩定性好
應用：高頻電路
2、低頻瓷介電容（CT）
電容量：10p～4.7u
額定電壓：50V～100V
主要特點：體積小，價廉，損耗大，穩定性差
應用：要求不高的低頻電路
二、薄膜電容器
薄膜電容（Film Capacitor）器又稱塑料薄膜電容（Plastic Film Capacitor）。其以塑料薄膜為電介質。
薄膜電容結構與紙質電容器相似，但用聚脂、聚苯乙烯等低損耗塑材作介質頻率特性好，介電損耗小不能做成大的容量，耐熱能力差濾波器、積分、振蕩、定時電路。
1、 聚酯（滌綸）電容（CL）
電容量：40p～4u
額定電壓：63～630V
主要特點：小體積，大容量，耐熱耐濕，穩定性差
應用：對穩定性和損耗要求不高的低頻電路
2、聚苯乙烯電容（CB）
電容量：10p～1u
額定電壓：100V～30KV
主要特點：穩定，低損耗，體積較大
應用：對穩定性和損耗要求較高的電路
3、聚丙烯電容（CBB）
電容量：1000p～10u
額定電壓：63～2000V
主要特點：性能與聚苯相似但體積小，穩定性略差
應用：代替大部分聚苯或云母電容，用于要求較高的電路
三、鋁電解電容器
鋁電解電容器是由鋁圓筒做負極，里面裝有液體電解質，插入一片彎曲的鋁帶做正極而制成的電容器稱作鋁電解電容器。
用浸有糊狀電解質的吸水紙夾在兩條鋁箔中間卷繞而成，薄的化氧化膜作介質的電容器。因為氧化膜有單向導電性質，所以電解電容器具有極性。容量大，能耐受大的脈動電流，容量誤差大，泄漏電流大；普通的不適于在高頻和低溫下應用,不宜使用在25kHz以上頻率低頻旁路、信號耦合、電源濾波。
電容量：0.47～10000u
額定電壓：6.3～450V
主要特點：體積小，容量大，損耗大，漏電大
應用：電源濾波，低頻耦合，去耦，旁路等
四、鉭電解電容器
固體鉭電容器是1956年由美國貝樂試驗室首先研制成功的，它的性能優異，是所有電容器中體積小而又 燒結型固體 電解質片狀鉭電容器能達到較大電容量的產品。
用燒結的鉭塊作正極,電解質使用固體二氧化錳溫度特性、頻率特性和可靠性均優于普通電解電容器，特別是漏電流極小，貯存性良好，壽命長，容量誤差小，而且體積小，單位體積下能得到的電容電壓乘積對脈動電流的耐受能力差，若損壞易呈短路狀態超小型高可靠機件中。
電容量：0.1～1000u
額定電壓：6.3～125V
主要特點：損耗、漏電小于鋁電解電容
應用：在要求高的電路中代替鋁電解電容
五、獨石電容器
多層陶瓷電容器)在若干片陶瓷薄膜坯上被覆以電極槳材料，疊合后繞結成一塊不可分割的整體，外面再用樹脂包封而成小體積、大容量、高可靠和耐高溫的新型電容器，高介電常數的低頻獨石電容器也具有穩定的性能，體積極小，Q值高容量誤差較大噪聲旁路、濾波器、積分、振蕩電路。
容量范圍：0.5PF～1UF
耐壓：二倍額定電壓。
電容量大、體積小、可靠性高、電容量穩定，耐高溫耐濕性好等。
應用范圍：廣泛應用于電子精密儀器。各種小型電子設備作諧振、耦合、濾波、旁路。
六、紙質電容器
一般是用兩條鋁箔作為電極，中間以厚度為0.008～0.012mm的電容器紙隔開重疊卷繞而成。制造工藝簡單，價格便宜，能得到較大的電容量
一般在低頻電路內，通常不能在高于3～4MHz的頻率上運用。油浸電容器的耐壓比普通紙質電容器高，穩定性也好，適用于高壓電路。
七、微調電容器
微調電容實際上是一種可變電容器，只是容量變化范圍較小，通常只有幾皮法到幾十皮法。微調電容分為云母微調電容器、瓷介微調電容器、薄膜微調電容器、拉線微調電容器等多種。它常在各種調諧及振蕩電路中作為補償電容器或校正電容器使用。
電容量可在某一小范圍內調整，并可在調整后固定于某個電容值。 瓷介微調電容器的Q值高，體積也小，通常可分為圓管式及圓片式兩種。 云母和聚苯乙烯介質的通常都采用彈簧式東，結構簡單，但穩定性較差。 線繞瓷介微調電容器是拆銅絲〈外電極〉來變動電容量的，故容量只能變小，不適合在需反復調試的場合使用。
1、空氣介質可變電容器
可變電容量：100～1500p
主要特點：損耗小，效率高；可根據要求制成直線式、直線波長式、直線頻率式及對數式等
應用：電子儀器，廣播電視設備等
2、薄膜介質可變電容器
可變電容量：15～550p
主要特點：體積小，重量輕；損耗比空氣介質的大
應用：通訊，廣播接收機等
3、薄膜介質微調電容器
可變電容量：1～29p
主要特點：損耗較大，體積小
應用：收錄機，電子儀器等電路作電路補償
4、陶瓷介質微調電容器
可變電容量：0.3～22p
主要特點：損耗較小，體積較小
應用：精密調諧的高頻振蕩回路
八、陶瓷電容器
用高介電常數的電容器陶瓷〈鈦酸鋇一氧化鈦〉擠壓成圓管、圓片或圓盤作為介質，并用燒滲法將銀鍍在陶瓷上作為電極制成。它又分高頻瓷介和低頻瓷介兩種。 具有小的正電容溫度系數的電容器，用于高穩定振蕩回路中，作為回路電容器及墊整電容器。低頻瓷介電容器限于在工作頻率較低的回路中作旁路或隔直流用，或對穩定性和損耗要求不高的場合〈包括高頻在內〉。這種電容器不宜使用在脈沖電路中，因為它們易于被脈沖電壓擊穿。高頻瓷介電容器適用于高頻電路。
九、玻璃釉電容器
由一種濃度適于噴涂的特殊混合物噴涂成薄膜而成，介質再以銀層電極經燒結而成"獨石"結構性能可與云母電容器媲美，能耐受各種氣候環境，一般可在200℃或更高溫度下工作，額定工作電壓可達500V，損耗tgδ0.0005～0.008
電容量：10p～0.1u
額定電壓：63～400V
主要特點：穩定性較好，損耗小，耐高溫（200度）
應用：脈沖、耦合、旁路等電路
