掃描電鏡（SEM）對(duì)樣品尺寸和厚度的限制主要取決于其腔室設(shè)計(jì)、樣品臺(tái)承載能力、探測(cè)器類(lèi)型以及電子束穿透深度等因素。以下是詳細(xì)的限制條件和優(yōu)化建議：

1. 樣品尺寸限制

(1) 常規(guī)SEM的典型要求

最大尺寸：

通常樣品直徑 ≤ 5~10 cm（如標(biāo)準(zhǔn)樣品臺(tái)適配1 cm2的樣品）。

超大樣品需特殊樣品臺(tái)或切割處理（如部分場(chǎng)發(fā)射SEM支持15 cm寬度）。

高度限制：

一般 ≤ 5~10 mm（避免碰撞探頭或探測(cè)器）。

若樣品過(guò)高，需傾斜樣品臺(tái)或使用低工作距離模式。

(2) 特殊場(chǎng)景

大尺寸樣品（如PCB、巖石）：

使用可移動(dòng)樣品臺(tái)或分段掃描后拼接圖像。

環(huán)境SEM（ESEM）可部分放寬尺寸限制（無(wú)需真空密封）。

微小樣品（如納米顆粒）：

需固定在導(dǎo)電基底（如硅片、銅網(wǎng)）上，避免漂移。

2. 樣品厚度限制

(1) 導(dǎo)電性樣品

理論上無(wú)嚴(yán)格厚度上限，但需考慮：

電子束穿透深度：通常≤ 1~5 μm（取決于加速電壓和材料原子序數(shù)）。

信號(hào)收集效率：過(guò)厚樣品可能導(dǎo)致背散射電子（BSE）信號(hào)減弱。

(2) 非導(dǎo)電性樣品

厚度：≤ 1~2 mm（避免電荷積累導(dǎo)致圖像失真）。

解決方案：

噴鍍金/碳（5~20 nm）以增強(qiáng)導(dǎo)電性。

使用低真空模式或ESEM減少充電效應(yīng)。

3. 關(guān)鍵影響因素

(1) 電子束參數(shù)

加速電壓：

高電壓（如30 kV）可穿透更厚樣品，但可能損傷敏感材料。

低電壓（≤5 kV）適合表面形貌觀察（減少穿透深度）。

束流大小：高束流可提升信噪比，但可能燒蝕有機(jī)樣品。

(2) 樣品制備要求

導(dǎo)電性：非導(dǎo)電樣品需噴鍍或使用導(dǎo)電膠（如銀漿）。

平整度：凹凸過(guò)大（＞5 mm）可能影響聚焦和景深。

清潔度：油脂或污染物會(huì)導(dǎo)致假象（需超聲清洗或等離子處理）。