掃描電鏡（SEM）中樣品表面放電（充電效應(yīng)）會嚴(yán)重干擾成像，表現(xiàn)為亮斑、圖像扭曲或閃爍。以下是針對性的解決方案，按優(yōu)先級排序：

1. 直接抑制放電的應(yīng)急措施

(1) 立即調(diào)整電鏡參數(shù)

降低加速電壓：

快速將電壓從常規(guī)的 10-20 kV 降至 0.5-3 kV（大幅減少電荷注入）。

減小束流：

降低束流（如0.1-1 nA），但需接受信號變?nèi)酰裳娱L采集時間補償）。

切換探測器：

優(yōu)先使用 背散射電子（BSE）探測器（BSE受充電影響小于二次電子SE）。

(2) 啟用儀器輔助功能

低真空模式（如配備）：

通入10-200 Pa的水蒸氣或氮氣，氣體電離可中和電荷。

電子中和槍（Flood Gun）：

用低能電子束照射樣品表面，平衡正電荷積累。

2. 樣品處理優(yōu)化（根本解決）

(1) 導(dǎo)電性增強

金屬噴鍍：

金（Au） 或 金-鈀（Au-Pd）（5-15 nm），噴鍍時旋轉(zhuǎn)樣品確保均勻。

碳（C）鍍層（成分分析首選）：避免EDS信號干擾（如測輕元素）。

導(dǎo)電膠固定：

使用銀漿或碳膠將樣品緊密粘貼在金屬基底（如鋁樁），確保導(dǎo)電路徑。

(2) 特殊樣品處理

生物/含水樣品：

先經(jīng) 臨界點干燥 或 冷凍干燥脫水，再噴鍍。

多孔/纖維樣品：

用 OsO?蒸汽處理 或 導(dǎo)電染料滲透（增強整體導(dǎo)電性）。

磁性樣品：

消磁后噴鍍，避免磁場偏轉(zhuǎn)電子束。

3. 掃描策略調(diào)整

(1) 成像參數(shù)優(yōu)化

快速掃描+幀平均：

縮短電子束駐留時間（如1 μs/pixel），疊加16-64幀抑制噪聲。

降低分辨率：

暫時減少像素數(shù)（如從4096×4096降至1024×1024），降低電荷密度。

(2) 電子束調(diào)制

束斑散焦：

輕微散焦（Defocus）分散能量，但會降低分辨率（需權(quán)衡）。

交替掃描方向：

取消單向掃描（Line Scan），改為雙向掃描（Bidirectional）。

4. 進(jìn)階解決方案

(1) 環(huán)境SEM（ESEM）模式

允許樣品在 100%-90%濕度 下成像，水分子自然導(dǎo)電，無需鍍膜（適合含水樣品）。

(2) 冷凍SEM（Cryo-SEM）

快速冷凍含水樣品后直接觀察，冰層導(dǎo)電性優(yōu)于干燥樣品。