在掃描電鏡（SEM）中，“暗場(chǎng)成像”指通過(guò)只接收特定角度或特定衍射條件下的電子信號(hào)來(lái)形成圖像的方法。與明場(chǎng)成像相比，暗場(chǎng)圖像通常背景較暗，而滿足特定散射條件的區(qū)域變亮。

一、背散射暗場(chǎng)成像

這是 SEM 中常見(jiàn)的暗場(chǎng)方式。

原理：

背散射電子會(huì)向不同角度散射。暗場(chǎng)探測(cè)方式只收集高角度散射的電子，而低角度信號(hào)被排除。

特點(diǎn)：

高原子序數(shù)區(qū)域更亮。

對(duì)成分變化和晶體取向非常敏感。

背景較暗，對(duì)比度更高。

常見(jiàn)用途：

區(qū)分合金相。

查看成分變化。

觀察晶粒取向差異。

二、衍射暗場(chǎng)成像

部分 SEM（帶 STEM 或 EBSD 功能）可以使用衍射暗場(chǎng)。

原理：

選擇晶體某一個(gè)衍射斑點(diǎn)對(duì)應(yīng)的電子，只有滿足該衍射條件的區(qū)域會(huì)變亮。

用途：

觀察晶界結(jié)構(gòu)。

識(shí)別孿晶或相變區(qū)域。

分析晶體取向分布。

說(shuō)明：

這種方式更接近透射電鏡的暗場(chǎng)成像方法，不是所有 SEM 都具備。

暗場(chǎng)成像的優(yōu)點(diǎn)

能強(qiáng)化成分或結(jié)構(gòu)差異。

背景更暗，信號(hào)更突出。

對(duì)晶體取向特別敏感。

暗場(chǎng)成像適合的情況

樣品成分差異不明顯，需要提高對(duì)比度。

想突出局部晶體取向或相結(jié)構(gòu)。

在復(fù)合材料、金屬、陶瓷分析中需要增強(qiáng)對(duì)比度。